【פרמטר】VDSS = 55 V, RDS(on) = 17.5 מ'?, ID = 49 A, Rds(on) בדיקת מתח Vgs=10 V, לא.של סיכות : 3 Pins, טמפרטורת ההפעלה מקס : 175°C 【חומר】ז

Pערוץ 20 V 7.8 א (ת "א) 2.4 W (ת" א) משטח הר 6Micro FET (2x2) Ro HS סטטוס : ROHS3 Compliant Moisture רגישות רמה (MSL) : 1 (ללא הגבלה)סטטוס REACH :

כל המוצרים נבדקים על יציבות, עקביות ואמינות,מבטיחים מוצר מצוינות 10pcs / הרבה Irfb38n20 תואם עם Mosfet NCh 200 V 43 A ל220 Ab

שם מוצר : מתח Regulator Transistor;סוג : NPN;מודל : 78 L12 חבילה : ל92;קלט : 30 V.לייצב מתח : 12 V;תפוקה נוכחית : 100m A.סיכת גודל : 14 x

צ ' יפס השער, שנוסדה בשנת 2010, היא מקצועית, רכישת B2 B & B2 C כלי רכיבים אלקטרוניים בתחום.יש לנו יותר מ200,000 שורות

נמוך לטמיון−מקור התנגדות : RDS(ON) = 1.35 Ω סוג.גבוה קדימה העברה כניסה : |Yfs = 5.0 S סוג.נמוך זליגת זרם : IDSS = 100µA מקס..

Channel Type : PCh.Low Input Capacitance : 156 p F.Noofchannels : 1 Voltage Drainto Source : 20 V הניקוז source On Resistanceמקס : 1 ΩRated Power Dissipation(P) : 313 m W; Qg Gate

צ ' יפס השער, שנוסדה בשנת 2010, היא מקצועית, רכישת B2 B & B2 C כלי רכיבים אלקטרוניים בתחום.יש לנו יותר מ200,000 שורות

צ ' יפס השער, שנוסדה בשנת 2010, היא מקצועית, רכישת B2 B & B2 C כלי רכיבים אלקטרוניים בתחום.יש לנו יותר מ200,000 שורות

שם המוצר : טרנזיסטור NPN;מודל לא : HFA08 TB60;רכוב : סוג דרך החור.חבילה : ל220 AC;VR : 600 V;IRRM : 5 A.הרכבה חור קוטר : 3.5 מ "מ /

שם המוצר : טרנזיסטור NPN;מודל : S8050 D;גובה בסיס מתח : 40 V.אספן משדר מתח : 25 V;פולט בסיס מתח : 5 V;אספן נוכחי) רציף ( : 5

צ ' יפס השער, שנוסדה בשנת 2010, היא מקצועית, רכישת B2 B & B2 C כלי רכיבים אלקטרוניים בתחום.יש לנו יותר מ200,000 שורות

אספןemitter Voltageמקס : 600 V Collector Current25 C : 25 א Power Dissipation Ambientמקס : 80 W Turnon TimeNom(טון) : 18.5 ns.Turnoff TimeNom(העמיד) : 72 ns.STGP7 NC60 HD

מקורי IRF9540 N, האיכות היא בהחלט הטוב ביותר.לטמיוןמקור מתח (Vdss) : 100 V.רציף הניקוז הנוכחי (תעודת זהות) (25°C) : 23 A.מ

מצב הפריט : חדש 12 חודשים אחריות איכות.בפועל הפריט כפי שמוצג בתמונות.אקראי לשלוח את מספר החלק.הערה : באדיבו

Channel Type : NChannel; Voltage Drainto Source : 60 V; הניקוז source On Resistanceמקס : 2.4 Ω;.Rated Power Dissipation(P) : 0.2 W;.Nערוץ 60 V 0.2 W משטח הר 2.5 V לנה�

שם המוצר : טרנזיסטור NPN;מודל לא : BUK456;רכוב : סוג דרך החור.כוח : 800 A;VDS : 60 V;Ptot : 150 W.הרכבה חור קוטר : 3.6 mm / 0.14";Pin א�

שם המוצר : MOSFET;מודל לא : IRFP450 ערוץ סוג : N ערוץ;ניקוז מקור מתח : 500 V.ניקוז הנוכחי : 15 A;הרכבה חור קוטר : 3.5 מ "מ / 0.

ברוכים הבאים שנזן Zhensheng Technology Co., בע " מ.המוצרים שלנו נשלחים מסין, אנו לשאת משא.אנחנו יכולים לשלוח את הסחור�

Nערוץ 4.8 A (Tc) 30 W (Tc) דרך חור220 FPProduct מפרט : קטגוריה : דיסקרטית סמיקונדקטור מוצרים, טרנזיסטורים פטס, Mosfet Single Mf

הספק : NTE אלקטרוניקה חלק לא : NTE2386 Ro HS : לא ידוע הקולנוע הביתי : 85412900951 קו : לנו ECCN : EAR99 : ערוץ 1 מצב : שיפור ערוצי

Mfr : פיירצ ' יילד מוליכים למחצה.סדרה : *.החבילה : בתפזורת.חלק סטטוס : פעילה.מפרט טכני : Mfr : פיירצ ' יילד Semiconduc

ברוכים הבאים שנזן Zhensheng Technology Co., בע " מ.המוצרים שלנו נשלחים מסין, אנו לשאת משא.אנחנו יכולים לשלוח את הסחור�